功率

CoolSiC™ MOSFET 400 V 第 2 代

功率

CoolSiC™ 肖特基二极管 2000 V G5 IDYHxxG200C5

功率

OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 150 V

功率

StrongIRFET™ 2 30 V，采用TO-220 封装

功率

用于车载充电器符合AQG324标准的 EasyPACK™ 与 CoolMOS™

功率

HybridPACK™ Drive G2 FS520R12A8P1LB

功率

OptiMOS™ 7 功率 MOSFET 15 V，采用PQFN 2x2 封装

功率

TRENCHSTOP™ IGBT7 系列新增五款产品

功率

150 V 单 N 沟道 OptiMOS™ 5 MOSFET，采用 DirectFET™ 封装

功率

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2, 7 mΩ 带 TO247 和 TO247 4 引脚

射频芯片-英飞凌官网

双频 GPS LNA BGA535N6

传感器-英飞凌官网

XENSIV™ PAS CO2 5 V 传感器

传感器-英飞凌官网

XENSIV™ – TLE49SRx3 磁角度传感器

Universal Serial Bus (USB)

EZ-PD™ PAG2-PD USB-C PD 控制器

评估板

OPTIGA™ Authenticate NBT 开发套件和开发功能板

评估板

参考板 REF_1KW_PSU_5G_GAN

评估板

参考板 REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A

评估板

评估板 EVAL_TDA38806_1.8VOUT, EVAL_TDA38806_3.3VOUT, EVAL_TDA38806_5VOUT 和 EVAL_TDA38807_1.8VOUT

评估板

评估板 EVAL_1K6W_PSU_CFD7_QD